Rabu, 5 Ogos 2026BMEN中文தமிழ்
Edisi Bahasa Melayu
Teknologi

Samsung Lancar Teknologi Memori AI Generasi Baharu BV-NAND

Pengeluar cip memori terbesar dunia memperkenalkan prototaip V10 Bonding V-NAND dengan lebih 400 lapisan pada persidangan FMS di Santa Clara, California.

Samsung Lancar Teknologi Memori AI Generasi Baharu BV-NAND
Foto: Oskar Alexanderson · CC BY-SA 2.0

Samsung Electronics memperkenalkan prototaip V10 Bonding V-NAND (BV-NAND) pada persidangan Future of Memory and Storage (FMS) tahun ini di Santa Clara, California, sebagai langkah terbaharu pengeluar cip memori terbesar dunia itu dalam pasaran memori kecerdasan buatan (AI).

Cip berkenaan mempunyai lebih 400 lapisan serta seni bina pengikatan wafer (wafer-bonding) baharu bagi meningkatkan ketumpatan storan dan prestasi keseluruhan.

Menurut syarikat itu, teknologi BV-NAND meningkatkan ketumpatan memori kira-kira 58% berbanding NAND V9 sebelum ini, di samping menambah baik prestasi baca, tulis serta input/output bagi memenuhi permintaan sistem AI yang memerlukan storan berkapasiti tinggi dan lebih cekap tenaga.

Permintaan terhadap memori NAND berkapasiti tinggi meningkat berikutan beban kerja AI kini melangkaui latihan model bahasa besar kepada proses menjana jawapan bagi pertanyaan pengguna. Memori kilat NAND digunakan untuk menyimpan data seperti foto, video dan aplikasi dalam peranti termasuk telefon pintar.

Samsung turut mempamerkan model konsep yang disifatkannya sebagai seni bina zHBM dan zNAND-O pertama dalam industri, menggariskan visinya bagi memori 3D generasi seterusnya yang menyusun sel memori secara menegak untuk memuatkan lebih banyak data.

Berbeza dengan memori lebar jalur tinggi konvensional yang diletakkan bersebelahan pemproses AI, zHBM Samsung menyusun memori secara menegak di atas pemecut AI bagi memendekkan jarak perjalanan data, sekali gus meningkatkan lebar jalur dan kecekapan tenaga.

Syarikat itu berkata teknologi pengikatan wafernya berpotensi menawarkan lebih 10 kali ganda ketumpatan memori berbanding memori HBM5 konvensional, sambil meningkatkan kecekapan tenaga tiga kali ganda dan mengurangkan rintangan haba lebih separuh.

Walaupun sesetengah pelabur menyuarakan kebimbangan mengenai permintaan jangka panjang cip memori apabila permintaan telefon pintar China menjadi lembap, penganalisis menegaskan permintaan AI kekal luar biasa kukuh.

Samsung mendedahkan minggu lalu bahawa perjanjian jangka panjang dengan pelanggan akhirnya boleh mewakili 60% hingga 70% jualan memorinya. Penganalisis Citi pula berkata dalam nota bulan lalu bahawa inventori rantaian bekalan DRAM dan NAND kekal jauh di bawah paras sejarah.

Artikel ini dihasilkan dengan bantuan kecerdasan buatan (AI) mengikut polisi editorial kami.

SamsungBV-NANDmemori AIcipteknologizHBM
Samsung Lancar Teknologi Memori AI Generasi Baharu BV-NAND | Harian Malaysia