三星发布新一代AI存储技术 BV-NAND

三星电子在今年于美国加州圣克拉拉举行的未来存储与储存（FMS）大会上，推出其V10 Bonding V-NAND（BV-NAND）原型芯片，进一步进军人工智能（AI）存储市场。

该芯片拥有超过400层结构，并采用全新晶圆键合架构，以提升储存密度与性能。

三星表示，BV-NAND技术较上一代V9 NAND的存储密度提高约58%，同时改善读取、写入及输入／输出性能，以满足AI系统对更高容量、更节能储存方案的需求。

随着AI工作负载从训练大语言模型，扩展至生成用户查询答案的推理过程，市场对高容量NAND存储的需求不断上升。NAND闪存用于在智能手机等设备中储存照片、视频及应用程序等数据。

三星同时展示了被其称为业界首创的zHBM与zNAND-O架构概念模型，勾勒新一代3D存储愿景——通过垂直堆叠存储单元来容纳更多数据。

与放置在AI处理器旁的传统高带宽存储不同，三星的zHBM将存储垂直堆叠在AI加速器上方，缩短数据传输距离，从而提升带宽并改善能效。

三星称，其晶圆键合技术可实现超过传统HBM5存储10倍的存储密度，能效提高两倍（三倍于原有水平），热阻降低逾一半。

尽管部分投资者担忧中国智能手机需求转弱后，存储芯片的长期需求前景，但分析师指出AI需求异常强劲。

三星上周披露，与客户签订的长期协议最终可能占其存储销售额的60%至70%。花旗分析师上月在报告中指出，尽管终端市场需求存在放缓忧虑，DRAM与NAND供应链库存仍远低于历史水平。